氧化铟（In₂O₃）是一种具有高透明度（可见光区透光率>80%）和宽禁带（~3.7eV）的n型半导体材料，其载流子迁移率可达160cm²/V·s。这种特性使其在光电器件中表现出色，尤其在高温环境下仍能保持稳定性能。作为透明导电氧化物（TCO），氧化铟在太阳能电池中作为电极可提升光电转换效率（最高达25%），在触摸屏中实现90%以上透光率的同时保持低电阻（<100Ω/□）。当前研究重点包括通过掺杂（如Sn掺杂形成ITO）进一步优化电导率，以及开发柔性显示等新型应用场景。